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reno7参数,OPPO Reno2屏幕尺寸屏占比有多大

作者:本站作者

1,OPPO Reno2屏幕尺寸屏占比有多大

OPPO Reno屏幕参数公布,93.1%屏占比,支持类DC调光
OPPO Reno2 采用的是6.5英寸OLED屏幕;屏占比达93.1%;是一块阳光护眼全景屏,拥有行业顶尖的显示效果。点亮屏幕的一瞬间,完整一体的6.5英寸全面视觉,满足所有强迫症。

OPPO Reno2屏幕尺寸屏占比有多大

2,reno7参数配置是什么

OPPOReno7它是基于高通骁龙778G打造的,采用的是6.43英寸AMOLED屏幕,分辨率为2400*1080,PPI达到409、刷新率为90Hz、触控采样率为180Hz。OPPO与索尼联合设计的IMX709超感光猫眼镜头,3200万像素。将传感器制程工艺田传统的40nm升级为22nm,并集成了一个由OPPO自研的硬件级RCBW图像融合单元,在行业内首次实现将算法写入传感器,带来了硬件级的影像效果提升。扩展资料Reno7系列还搭载全新升级的ColorOS 12操作系统,流畅体验再次提升,自研90FPS极限稳帧、超级闪电启动2.0等系统级技术,一系列内外演进升级让Reno7系列的用户体验更上一层楼。Reno7系列再次挖掘手机潮流设计的新方向,全新配色“星雨心愿”创造性地将航天级光刻工艺应用于手机后盖,通过激光显影技术在晶钻工艺基础上二次光刻,形成120万道细密光栅纹理,让玻璃后壳具备流星雨般的视觉观感和立体触感。在机身正面,Reno7系列采用行业领先的极窄边框工艺,将屏占比提升至92.8%,视觉一体感更强。OPPO率先在Reno7 Pro引入光纤热弯工艺,将1mm直径的光纤环绕主摄系统一周,给镜圈加了一个“呼吸灯”,可在来电、来消息、充电及游戏中体验在一呼一吸间如星环般闪耀。OPPO是最早深耕人像视频拍摄领域的手机厂商,OPPO Reno5 系列以FDF 全维人像视频技术系统为支撑,实现了“千人千面”的焕彩人像功能;OPPO Reno5 系列则在FDF全维人像视频技术系统基础之上,加入了焕采光斑人像功能,可以对人物和背景进行识别分离,对背景光源进行光斑虚化。

reno7参数配置是什么

3,gbt445942003弹簧的参数

你好,这个是弹簧画法的国家标准,可以去下载这个标准,不过应该不是你说的弹簧参数。标 准 号:GB/T 4459.4-2003 简体中文标题:机械制图 弹簧表示法 繁体中文标题:机械制图 弹簧表示法English Name:Mechanical drawings; Conventional representation of springs标准介绍:本标准为《机械制图》结构规定画法的一个部分,规定了弹簧的表示法,适用于机械制图中弹簧的表示法GB/T 4459.4-2003 标准:http://www.yang6.com/down/gbt/2431.shtml祝你好运

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4,型号M2oo7J17C是什么手机是小米还是红米手机

根据网上曝光的数据显示,这款手机采用了左上角打孔直面屏设计,并且配备了8GB内存,处理器为2.4GHz,并且会预装安卓10的miui12系统,由于这款手机的定位,所以采用LCD屏幕的可能性更大。另外,这款手机的背面也曝光,采用了奥利奥三摄设计,主摄的像素为4800万,所以这款手机拍照能力并不差,手机的辨识度也非常高。红米note10会搭载全系联发科,处理器是MT6853V/TNZA、MT6875,也就意味着红米note10分为两个机型。目前透露的是低配版红米note10,会搭载天玑800U处理器,这款手机的价格很有可能低至999元,当然高配版红米note10则会搭载天玑820,性能方面会有所提升,价格也会在1500元左右,毕竟搭载天玑820的红米10X价格也才1599元。红米note10其他方面的配置并没有曝光,现在可以确定的是两款手机都支持5G,高配版红米note10还将拥有高刷新率,当然续航也将是红米note10的一大优势。红米note10又将是一款性价比极高的手机,毕竟红米坚持走性价比路线,所以价格方面可能会比大家预期更低,红米note10具体的发布时间还没有公布,但是最近两个月可以见到红米note10真机,红米note10直接对标的是Realme V3的千元5G手机,当然华为将发布的畅享20系列也是强有力的竞争对手。综合来看,红米note10的外观以及配置还是很突出,在同等价位中绝对是性价比最高的,毕竟华为畅享20系列、Realme V3都是搭载的天玑720处理器,在性能方面就失去了优势。另外,红米note10续航、快充、高刷等配置都没有透露,也许红米会给大家带来不一样的惊喜,那么大家期待红米note10正式发布吗?
这款手机是小米手机的红米redmi note9 pro5G。

5,ABB ACS800及参数设定

这用DTC模式,用ABB标准宏就可以,用数字输入口控制启动停止和转反正,用模拟输出口反馈实际转数跟转矩,ABB说明书后面有选用宏后的参数设定和接线方法!
1 10.01 定义外部控制地1(ext1) 用于起动、停机和转向命令的连接和信号源。 di1 f di2 r2 10.03 允许改变电机的转向,或固定转向。 request3 11.03 选择外部给定ref1 的信号源。 ai24 11.04 定义外部给定ref1 的最小值 ( 绝对值)。相当于所用的信号源的最小设定值。 0 … 18000 rpm5 11.05 定义外部给定 ref1 的最大值( 绝对值)。相当于所用的信号源的最大设定值。 0 … 18000 rpm6 13.01 定义模拟输入ai1的最小值。当用作给定值时,其值对应于最小给定设定值。例如: 如果ai1 作为外部给定ref1 的信号源,其值对应于参数11.04 的值。4ma 13.02 定义模拟输入ai2的最大值。当用作给定值时,其值对应于最大给定设定值。例如: 如果ai1 作为外部给定ref1 的信号源,其值对应于参数11.05 的值。 20ma8 14.02 选择继电器输出ro2 显示的传动状态,继电器在状态满足设定条件时,处于通电状态。 running9 14.03 选择继电器输出ro3 显示的传动状态,继电器在状态满足设定条件时,处于通电状态。 fault10 15.01 选择一个传动信号到模拟输出ao1。 speed11 15.03 定义模拟输出信号ao1 的最小值。 4 ma12 15.06 选择一个传动信号到模拟输出ao2。 current13 15.08 定义模拟输出信号ao2 的最小值。 4 ma14 16.04 选择故障复位信号的信号源。传动单元故障跳闸,待故障排除后,该信号使传动单元复位。 di315 21.03 选择电机停止模式。 coast 具体情况根据说明书相应修改~希望能够帮到你!·

6,ABB ACS800变频器参数设定

在第一次运行时设置以后就不需要再改变了,这一组参数代码范围从9901~9910共10个参数。ABB变频器工作原理:通过将380V交流电压整流滤波成为平滑的510V直流电压。再通过逆变器件将510V直流电压变成频率与电压均可调的交流电压,电压调节范围在0V--380之间;频率可调范围在0HZ--600HZ之间。以达到控制电动机无极调速的目的。扩展资料工作原理通过将380V交流电压整流滤波成为平滑的510V直流电压,再通过逆变器件将510V直流电压变成频率与电压均可调的交流电压,电压调节范围在0V--380之间;频率可调范围在0HZ--600HZ之间。以达到控制电动机无极调速的目的。常见故障过流故障过流故障可分为加速、减速、恒速过电流.其可能是由于变频器的加减速时间太短、负载发生突变、负荷分配不均,输出短路等原因引起的,这时一般可通过延长加减速时间、减少负荷的突变、外加能耗制动元件、进行负荷分配设计、对线路进行检查,如果断开负载变频器还是过流故障,说明变频器逆变电路已环,需要更换变频器。过载故障过载故障包括变频过载和电机器过载,其可能是加速时间太短,直流制动量过大、电网电压太低、负载过重等原因引起的,一般可通过延长加速时间、延长制动时间、检查电网电压等。参考资料来源:百度百科—abb变频器
1 10.01 定义外部控制地1(EXT1) 用于起动、停机和转向命令的连接和信号源。 DI1 F DI2 R2 10.03 允许改变电机的转向,或固定转向。 REQUEST3 11.03 选择外部给定REF1 的信号源。 AI24 11.04 定义外部给定REF1 的最小值 ( 绝对值)。相当于所用的信号源的最小设定值。 0 … 18000 rpm5 11.05 定义外部给定 REF1 的最大值( 绝对值)。相当于所用的信号源的最大设定值。 0 … 18000 rpm6 13.01 定义模拟输入AI1的最小值。当用作给定值时,其值对应于最小给定设定值。例如: 如果AI1 作为外部给定REF1 的信号源,其值对应于参数11.04 的值。4ma 13.02 定义模拟输入AI2的最大值。当用作给定值时,其值对应于最大给定设定值。例如: 如果AI1 作为外部给定REF1 的信号源,其值对应于参数11.05 的值。 20ma8 14.02 选择继电器输出RO2 显示的传动状态,继电器在状态满足设定条件时,处于通电状态。 RUNNING9 14.03 选择继电器输出RO3 显示的传动状态,继电器在状态满足设定条件时,处于通电状态。 FAULT10 15.01 选择一个传动信号到模拟输出AO1。 SPEED11 15.03 定义模拟输出信号AO1 的最小值。 4 mA12 15.06 选择一个传动信号到模拟输出AO2。 CURRENT13 15.08 定义模拟输出信号AO2 的最小值。 4 mA14 16.04 选择故障复位信号的信号源。传动单元故障跳闸,待故障排除后,该信号使传动单元复位。 DI315 21.03 选择电机停止模式。 COAST 具体情况根据说明书相应修改~希望能够帮到你!·
为什么不看说明书呢,这些就是把模拟量设定和标定一下

7,小米note的配置参数

你好。小米Note是小米公司新出的大屏旗舰手机,整机的工艺与外观再次突破,前面板采用2.5D曲面玻璃,后面板采用3D曲面玻璃;玻璃材质与弧形收边可以获得更好的握感;5.7英寸负液晶阳光屏,NTSC色域高达95%;4.4V高电压3000mAh大电池,密度提升体积更小;独立HiFi音乐模块,手机上的“独立声卡” 让音乐有更丰富的表现力;支持联通移动双4G双卡双待;索尼1300万像素光学防抖相机,2μm大像素前置相机。整个外观有了明显的“溢价感”,可以说是历代最漂亮的小米手机。小米Note 5模15频双网通 16G版 2299元,1月27号开放销售。小米Note顶配版更是采用高通骁龙810 8核64位处理器,2K高清屏,4GB LPDDR4内存+64GB闪存。顶尖科技,发烧到底!
6月29日9时,小米公司宣布旗舰手机小米note现特价1999元,并推出小米note全网通版,售价2099元,这是小米首次推出全网通手机。 继主打外观和工艺的小米手机4之后,小米再次突破极致工艺,打造了厚度仅为6.95毫米、铝合金边框和前后双曲面玻璃的小米note。前面板的2.5d曲面玻璃和后面板的3d曲面玻璃和最薄处仅4.1mm的纳米注塑一体成型铝合金中框结构,使小米note同时拥有了明玉般的光芒和极佳的润泽手感。 美国著名科技媒体re/code的莫博士在评测小米note时表示:“小米note实在是美极了,达到了超高水准。” 小米note更薄、更窄、更短、更轻,屏幕则更大。小米note的5.7英寸夏普/jdi全高清视网膜屏幕色彩饱和度可以达到95%。同时支持阳光屏即像素级动态对比度调整,每时每刻都对屏幕的每一个像素独立调节,强光下显示效果更清晰,平时画质更好并能省电30%。 miui也为小米note的大屏幕进行了优化,可多显示25%的内容,轻滑底部即可调出3.5英寸、4英寸和4.5英寸三种大小的单手模式。 小米note配备来自索尼的第二代堆栈式相机,像素达到1300万,6片式镜头的光圈为f2.0,并具备光学防抖功能,同时小米note的相机和机身背部完全在一个平面上,并无任何凸起。 双色温闪光灯能让拍照对象呈现更自然的颜色,新增的补光模式可以保持闪光灯常亮,使暗光拍照和摄像更方便。小米note拍照的手动模式更是支持长达32秒的手动曝光。在miui6的支持下,小米note拥有强大的手动模式,用户可以手动调节白平衡、iso、曝光时间,甚至手动对焦。如此灵活的拍摄方式便于拍出更具表现力的作品。1/1000秒到1秒的手动快门范围提高到了最长32秒,使用手机能拍出更出彩的夜景照片。 前置相机首次使用了单个像素尺寸为2微米的大感光元件,几乎是通常前置相机像素尺寸的2倍。单个像素变大,意味着可以接受更多的光线,画质更好;可以使自拍噪点更少,暗光下整体更明亮、细节更干净。 配合全新升级的36级实时智能美颜二代相机,用小米note美化后的肤色更加自然。它不仅能识别你的年龄和性别,还能自动选择美颜级别,让相机在美化同时,面部细节也保留更多。 小米note加入了hifi音乐系统,具备超高的综合素质,可以带来细节丰富、纯净度高、音质纯正的高保真音乐体验,能让声音最大程度地还原录音室品质。 小米hifi系统比传统手机音频系统成本更贵,支持ape、flac、dsd、wav等无损音乐格式,可输出192khz/24bit的音频。通过行业一流音频解码芯片ess9018k2m和行业一流高性能2级运放电路(2颗小米定制版adi ad4896-2全平衡电压放大电路和2颗德州仪器opa1612电压电流混合驱动电路)、独立双时钟晶振以及28颗1%。高精度音频电阻提供完美的音频解码,同时miui系统也从android底层进行优化,消除音频系统采样率失真。 小米note同时配备sensor hub协处理器,可以处理加速度、陀螺仪、地磁传感器等数据,降低cpu的功耗和负载,达到省电的效果。4.4伏的高电压索尼/lg电芯电池容量是3000毫安时,支持快速充电,相比小米手机4电池体积小8.5%,密度提升6.3%。 小米note全网通为7模19频,支持中国移动、中国电信和中国联通的所有2g/3g/4g网络:包括gsm(band 2/3/5/8)、td-scdma(band 34/39)、td-lte(band 38/39/40/41)、wcdma(band 1/2/5/8)、fdd-lte(band 1/3/7)、cdma1x和evdo(band bc0/bc1)。全系列小米note都为双卡双待,可同时放入一张microsim卡和一张nanosim卡。 小米note标准版、天然竹特别版和女神版(均为16gb)现价1999元,即日起开始销售;小米note全网通售价2099元,即日起开始接受预约,7月7日开卖。

8,bc549三极管参数

三极管的参数解释λ---光谱半宽度VF---正向压降差Vz---稳压范围电压增量av---电压温度系数a---温度系数BV cer---基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路,CE结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压Cib---共基极输入电容Cic---集电结势垒电容Cieo---共发射极开路输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cie---共发射极输入电容Cjo/Cjn---结电容变化Cjo---零偏压结电容Cjv---偏压结电容Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容CL---负载电容(外电路参数)Cn---中和电容(外电路参数)Cob---共基极输出电容。在基极电路中,集电极与基极间输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Coe---共发射极输出电容Co---零偏压电容Co---输出电容Cp---并联电容(外电路参数)Cre---共发射极反馈电容Cs---管壳电容或封装电容CTC---电容温度系数CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Ct---总电容Cvn---标称电容di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率D---占空比ESB---二次击穿能量fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率fT---特征频率f---频率h RE---共发射极静态电压反馈系数hFE---共发射极静态电流放大系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hie---共发射极小信号短路输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导hoe---共发射极小信号开路输出导纳hre---共发射极小信号开路电压反馈系数IAGC---正向自动控制电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值IB---基极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流ICMP---集电极最大允许脉冲电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。ICM---最大输出平均电流Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IDR---晶闸管断态平均重复电流ID---暗电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流IEM---发射极峰值电流IE---发射极直流电流或交流电流的平均值IF(AV)---正向平均电流IF(ov)---正向过载电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IFMP---正向脉冲电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流iF---正向总瞬时电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IGT---晶闸管控制极触发电流IH---恒定电流、维持电流。Ii--- 发光二极管起辉电流IL---光电流或稳流二极管极限电流IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流Iop---工作电流Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IP---峰点电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM---反向峰值电流Irp---反向恢复电流IRRM---反向重复峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)ir---反向恢复电流iR---反向总瞬时电流ISB---二次击穿电流Is---稳流二极管稳定电流IV---谷点电流Izk---稳压管膝点电流IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流IZSM---稳压二极管浪涌电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流n---电容变化指数;电容比PB---承受脉冲烧毁功率PCM---集电极最大允许耗散功率Pc---集电极耗散功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pd---耗散功率PFT(AV)---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率PGM---门极峰值功率PG---门极平均功率Pi---输入功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率Pn---噪声功率Pomax---最大输出功率Posc---振荡功率Po---输出功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率Ptot---总耗散功率Ptot---总耗散功率PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率Q---优值(品质因素)r δ---衰减电阻R(th)ja----结到环境的热阻R(th)jc---结到壳的热阻r(th)---瞬态电阻rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rbb分钟---基区扩展电阻(基区本征电阻)RBB---双基极晶体管的基极间电阻RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数)RB---外接基极电阻(外电路参数)Rc ---外接集电极电阻(外电路参数)RE---射频电阻RE---外接发射极电阻(外电路参数)RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RG---信号源内阻rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻RL---负载电阻RL---负载电阻(外电路参数)roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻Rs(rs)----串联电阻Rth---热阻Rth----热阻Rz(ru)---动态电阻Ta---环境温度Ta---环境温度Tc---管壳温度Tc---壳温td---延迟时间td----延迟时间tfr---正向恢复时间tf---下降时间tf---下降时间tgt---门极控制极开通时间tg---电路换向关断时间Tjm---最大允许结温Tjm---最高结温Tj---结温toff---关断时间toff---关断时间ton---开通时间ton---开通时间trr---反向恢复时间tr---上升时间tr---上升时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度Tstg---贮存温度ts---存储时间ts---存贮时间Ts---结温V n---噪声电压V v---谷点电压V(BR)---击穿电压VAGC---正向自动增益控制电压VB2B1---基极间电压VBB---基极(直流)电源电压(外电路参数)VBE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降)VBE10---发射极与第一基极反向电压VBE---基极发射极(直流)电压VB---反向峰值击穿电压VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCB---集电极-基极(直流)电压Vcc---集电极(直流)电源电压(外电路参数)VCE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压VCE---集电极-发射极(直流)电压Vc---整流输入电压VDRM---断态重复峰值电压VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEB---饱和压降VEE---发射极(直流)电源电压(外电路参数)VF(AV)---正向平均电压VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VGT---门极触发电压Vk---膝点电压(稳流二极管)VL ---极限电压Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值Vn---中心电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vo---交流输入电压Vp---穿通电压。Vp---峰点电压VRM---反向峰值电压(最高测试电压)VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM---反向工作峰值电压VR---反向工作电压(反向直流电压)VSB---二次击穿电压Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压Vth---阀电压(门限电压)Vz---稳定电压δvz---稳压管电压漂移η---单结晶体管分压比或效率λp---发光峰值波长
该管是硅npn型高频管,30伏0.1安0.625瓦,300兆赫。用3dg120c代替。
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