cl永久地址ty66，大量原素有哪些

1，大量原素有哪些

N、P、K、S、Ca、Mg属大量元素；Fe（也可称为：半微量元素）、Mn、B、Zn、Cu、Mo、Cl属微量元素

核裂变只有一些质量非常大的原子核像铀(yóu)、钍(tǔ)等才能发生核裂变。

2，CL最近的地址发给我吧

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3，如何根据原子在元素周期表中的位置判断其化合价

对于主族元素来说，族序数=原子最外层电子数=元素最高正化合价 例如，Cl元素是第七主族元素，原子最外层电子数为7，最高正化合价为+7 元素处于第几周期该元素核外电子就有几层 例如，Na为第三周期元素，它的核外电子排布为2 8 1 共三层

4，您好那个cl的新地址有吗

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5，化学题回答详细点

因为问个数比所以“6*6.02*10(23次方)个电子发生转移 ”没用 由于化合价只靠近不交叉，所以只能有其中KCLO3中的Cl5+降到Cl，被还原，6HCl中的有一个HCl化合价没变，另外5个HCl中的Cl-升到Cl，被氧化。所以被氧化的氯原子与被还原的氯原子的个数比为5:1

6，简述coNH362对中心离子能级影响

配合物也叫络合物，为一类具有特征化学结构的化合物，由中心原子或离子（统称中心原子）和围绕它的称为配位体（简称配体）的分子或离子，完全或部分由配位键结合形成，配合物中中心原子提供空轨道，配体提供孤电子对．在配合物[Co（NH3）5Cl]Cl2中，外界是Cl-，内界是[Co（NH3）5Cl]2+，有一个氯离子中内界，有两个氯离子在外界，Co3+为中心离子提供空轨道，电荷数为+3，Cl、NH3为配体提供孤电子对，有一个氯离子和五个氨分子做配体，配位数为6，[Co（NH3）5Cl]Cl2的电离方程式为[Co（NH3）5Cl]Cl2=[Co（NH3）5Cl]2++2Cl-，故答案为：[Co（NH3）5Cl]2+；Cl-；Co3+；Cl-、NH3；6；Cl、NH3；[Co（NH3）5Cl]Cl2=[Co（NH3）5Cl]2++2Cl-；

7，我的主页总是被修改成httpwww82comcl

只有用IE伴侣才能解决，其他的修改注册表，或者用360安全卫士，超级兔子，还有其他的系统清理专家一类的都不能解决。IE伴侣是一款免费的小软件，软件虽小，但是解决大问题。

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有装360安全卫士吗，有的话用里面的IE修复功能就可以了，没有的话去下也可以反正360这软件蛮好的，地址www.360safe.com

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8，指出下列各指令中寻址方式的错误并说明错误的原因

1、MOV 100H , AX ，立即数不能当做目的地。2、MOV AH , 1000，AH 容纳不下1000。3、MOV [CX] , AH CX，不能当做地址指针。4、 ADD AX , BL 参加加法运算的数字位数，必须相同，现在AX、BL位数不同。如：MOV AX,#5678H 注意：立即数只能作为源操作数，不能作为目的操作数。指令的地址字段指出的不是操作数的地址，而是操作数本身，这种寻址方式称为立即寻址。立即寻址方式的特点是指令执行时间很短，因为它不需要访问内存取数，从而节省了访问内存的时间。 扩展资料：各指令中寻址方式的原理：1、顺序寻址方式由于指令地址在内存中按顺序安排，当执行一段程序时，通常是一条指令接一条指令地顺序进行。也就是说，从存储器取出第1条指令，然后执行这条指令；接着从存储器取出第2条指令，再执行第二条指令；接着再取出第3条指令。这种程序顺序执行的过程，称为指令的顺序寻址方式。为此，必须使用程序计数器（又称指令计数器）PC来计数指令的顺序号，该顺序号就是指令在内存中的地址。2、跳跃寻址方式当程序转移执行的顺序时，指令的寻址就采取跳跃寻址方式。所谓跳跃，是指下条指令的地址码不是由程序计数器给出，而是由本条指令给出。注意，程序跳跃后，按新的指令地址开始顺序执行。因此，程序计数器的内容也必须相应改变，以便及时跟踪新的指令地址。注意是否跳跃可能受到状态寄存器的操作数的控制，而跳跃到的地址分为绝对地址（由标记符直接得到）和相对地址（对于当前指令地址的偏移量），跳跃的结果是当前指令修改PC程序计数器的值，所以下一条指令仍是通过程序计数器PC给出。参考资料来源：搜狗百科-寻址方式

(1) MOV 100H , AX 立即数不能当做目的地(5) MOV AH , 1000 AH 容纳不下 1000(2) MOV [CX] , AH CX 不能当做地址指针(6) POP CL 堆栈操作是16位数的，CL仅有8位数(3) ADD AX , BL 参加加法运算的数字位数，必须相同，现在AX、BL位数不同(7) ADD AX , [DL] 用DL指出地址，不可，应该用16位数的，如DX。(4) MOV [BX+BP] , AL BX、BP，不可合用

9，有谁用电脑登录不上cl的

如果一定要使用这个客户端才能登录上网，那这个客户端很可能就是用来限制二级代理的，这个就难办了。。。

cas意为列地址选通脉冲(column address strobe 或者column address select),cas控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5，3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为cas按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tras (active to precharge delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tras被激活后，ras才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，trcd初始化，最后才通过cas找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从cas开始到cas结束就是现在讲解的cas延迟了。因为cas是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。　　cl（cas latency）：为cas的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。　　内存负责向cpu提供运算所需的原始数据，而目前cpu运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下cpu都需要等待内存提供数据，这就是常说的“cpu等待时间”。内存传输速度越慢，cpu等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升cpu效率和整机性能的关键之一。　　在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。cl设置一定程度上反映出了该内存在cpu接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，cl设置低的更具有速度优势。　　在intel公司的pc100内存技术白皮书中指出：“符合pc100标准的内存芯片应该以cas latency（以下简称cl）= 2的情况稳定工作在100mhz的频率下。”cl=2所表示的意义是此时内存读取数据的延迟时间是两个时钟周期当cl=3时。内存读取数据的延迟时间就应该是三个时钟周期，因此，这“2”与“3”之间的差别就不仅仅局限于“1”了，而是1个时钟周期。工作在相同频率下的同种内存，将cl设置为2会得到比3更优秀的性能（当然你的内存必须支持cl=2的模式）。为了使主板正确地为内存设定cas延迟时间，内存生产厂商都将其内存在不同工作频率下所推荐的cas延迟时间记录在了内存pcb板上的一块eeprom上，这块芯片就是我们所说的spd。当系统开机时，主板bios会自动检测spd中的信息并最终确定是以cl=2还是cl=3来运行。　　上面只是给大家建立一个基本的cl概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。内存延迟时间有个专门的术语叫“latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个excel表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个ras信号（row address strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来cas信号（column address strobe，列地址信号）被激活。在ras信号和cas信号之间的几个执行周期就是ras-to-cas延迟时间。在cas信号被执行之后同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准pc133的sdram大约是2到3个周期；而ddr ram则是4到5个周期。在ddr中，真正的cas延迟时间则是2到2.5个执行周期。ras-to-cas的时间则视技术而定，大约是5到7个周期，这也是延迟的基本因素。　　cl设置较低的内存具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间=系统时钟周期×cl模式数+存取时间（tac）。首先来了解一下存取时间（tac）的概念，tac是access time from clk的缩写，是指最大cas延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。存取时间（tac）代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。

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