晶体管，什么叫做晶体管

本文目录一览

• 1，什么叫做晶体管
• 2，什么是晶体管
• 3，晶体管放大原理
• 4，什么是真空管和晶体管
• 5，晶体管起什么作用
• 6，晶体管怎么理解

1，什么叫做晶体管

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

是一种逃汰的电子元件，用晶体硅做成

2，什么是晶体管

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3，晶体管放大原理

晶体管主要分为三个区域:发射区、集电区、基区。发射区的特点是，参杂浓度高，面积小。集电区的特点是，参杂浓度低，面积大。基区的特点是，参杂浓度低，面积薄。当我们为晶体管的发射结和集电结分别接入方向不同的电压时，就会产生4种不同情况:1.发射结正偏、集电结反偏——放大状态。2.发射结正偏、集电结正偏——饱和状态。3.发射结反偏、集电结反偏——截止状态。4.发射结反偏、集电结正偏——倒置状态。但是倒置状态只做讨论，不会在实际应用中遇到。还要引入两个参数α、β，这两个参数同样都是反映晶体管放大能力的，α=Ic/Ie，β=Ic/Ib，在放大电路正常工作的时候，α是一个接近1的数，而β是一个远大于1的数，这就可以根据晶体管的3个不同点位来判断哪个是发射区，哪个是集电区，哪个是基区。先找出最不同于另两个的结，它必定是集电区，然后居中的是基区，最后一个是发射区。注意，α、β上标一横的时候，表示直流参数，不标时表示交流参数。晶体管的放大应用，最典型的就是扬声器。放大电路不能产生或者放大能量，而是把一个信号不失真地放大它的幅度。不失真，就是说频度不能变，但是相位是可以变的，甚至可以引入直流分量，都是可以的。晶体管放大状态有一个范围，不是说只要把发射结正偏、集电结反偏就可以完成放大过程。从Icm-U(BR)ceo的图像上可以看到，比较靠左边的曲线族很紧凑，这个区域是饱和区，比较靠下边的曲线族也很紧凑，这个是截止区，还有一条“等功耗线”，在它以外的区域，我们可以看到曲线族呈发射散状，在饱和区、截止区、等功耗线以内的区域，就是放大电路工作的安全区域。

4，什么是真空管和晶体管

真空管”（Vacuum Tube），代表玻璃瓶内部抽真空，以利于游离电子的流动，也可有效降低灯丝的氧化损耗。与晶体管类似可有二极、三极、五极等等。“发烧”圈内也称为“胆管”。 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

5，晶体管起什么作用

它具有把所收电波加以区分的检波功能和增强微弱电波的放大功能。初期，这两种功能几乎都是由真空管来完成的。

付费内容限时免费查看回答晶体管的作用是信号调制、整流、信号放大等，该器件包含三级管、二极管、晶闸管等。作用一：三级管通过拼接，可以进行逻辑运算；作用二：通过三极管可以使电流放大；作用三：二极管可以当作开关来使用；作用四：可以作为数字或者模拟电路的器件。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。晶体管优点：1、构件没有消耗无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍。2、消耗电能极少仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。3、不需预热一开机就工作。例如，晶体管收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快出现画面。电子管设备就做不到这一点。开机后，等一会儿才听得到声音，看得到画面。显然，在军事、测量、记录等方面，晶体管是非常有优势的

根据电路能有：放大，射极跟随，开关，振荡等等功能。

看看在什么电路上啦，一般就是放大作用，计算机用得最多的是开关作用。

6，晶体管怎么理解

　　A transistor is a semiconductor device, commonly used as an amplifier or an electrically controlled switch. The transistor is the fundamental building block of the circuitry that governs the operation of computers, cellular phones, and all other modern electronics. 　　Because of its fast response and accuracy, the transistor may be used in a wide variety of digital and analog functions, including amplification, switching, voltage regulation, signal modulation, and oscillators. Transistors may be packaged individually or as part of an integrated circuit, which may hold a billion or more transistors in a very small area.

晶体管”，英文是transistor；“逻辑”，英文是logic；输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 一、晶体管的种类 晶体管有多种分类方法。 （一）按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 （二）按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 （三）按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 （四）按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 （五）按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 （六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 二、晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 （一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 （二）耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 （三）频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。 通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。

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