《晶体管》评测,晶体管手游要去哪里下载

晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。没听说过这款游戏一定要去感受一下，这种创意虽然只能用一次，放到现在也不过时。

有什么好玩的手机游戏？

奴隶少女希尔薇这是一款养成游戏谈不上是恋爱，故事开场居然可以选择不接受结果打出了gg。希尔薇只是代表着受虐奴隶这一点看出原主人有着优秀的夜奴隶所以不需要这样的低级。游戏情节你可以理解为别人送的被欺负的小狗，你可以选择日狗或者善待再日狗。 因为希尔薇觉得很不安，希尔薇在这陌生环境里新主人一无所知的恐惧感，新主人不虐待自己的情况下希尔薇希望用些事情来证明自己告诉自己有价值留下来。

所以希尔薇选择接近跟被日狗。游戏初期剧情甚至到了中期一直会强调希尔薇很紧张的神经，我虽然走的是纯爱路线我知道蓝色花瓣可以让她平静。没记错希尔薇前期会因为紧张到死亡？然后是卖衣服的大妈居然不提供情趣用品，后来也只是饰品以及大妈不能推 差评。人贩子第一次偶忽悠买的书还以为后面会勒索之类的，然而并没有，差评。

h选项太少跟触发时间需要一百淫乱左右实在太无趣，毕竟是不停的戳了六十多次有些腻了。有个bug.是一起喝药后就会脉炫根本停不下来。触发野战跟另一个该说是商店还是咖啡馆呢？大概条件是高淫乱跟喝下大量红花茶，喝茶只有在下午才能喝，咖啡店也只有下午才能去。游戏的成功离不开对女主角楚楚可怜的写真，除了那身伤真的看不出猎奇在哪。

可以推荐几款烧脑游戏吗？

烧脑体验可以参考高中时期数学考试结束后的感受。需要同时满足思维密度高与沉浸感强两大条件。普通的解密类游戏可以困住玩家，但很难做到烧脑，能让玩家达到烧脑程度的只有编程类游戏和设计类游戏。编程设计类：巨著Opus Magnum空间复杂度 时间复杂度 成本=设计算法好评如潮的烧脑游戏，有一种编程或者设计的感觉，不断探索最优解，省钱省时省地，鱼与熊掌兼得的解答！理工男打发时间必备游戏！耐玩度MAX。

深圳SHENZHEN I/O使用来自不同制造商的各种组件构建电路，涉及到微控制器、内存、逻辑门和LCD屏幕，满屏的电子元件。一款把汇编当游戏游戏的传奇作品。可以让自动化系的学生想起当年被单片机支配的恐惧。玩的时候只要稍微投入点就会明显感觉到头皮发热， 这是要秃的前兆。黑客网络Hacknet后期多节点渗透有点烧脑的意思，浸入感很强。

即使没有Linux基础也可以轻松上手，不过精通比较难，在后续有时间限定的任务里能明显感觉到头脑发烫。用代码让人们感受到代码世界的温暖，在游戏中体验一次黑客吧！比较考验逻辑推理能力的游戏，但几乎不涉及计算机知识。异星工厂Factorio这个游戏我真的种草了无数遍，设计自己的自动化工业帝国。后期线路复杂的时候，做一个小小的改进可能会涉及无数前期线路的翻修，但是这所有的复杂度都是玩家一个人堆积起来的，这游戏开始就是一个纯粹的蛮荒星球。

这个游戏的主旨就是一切皆可自动化，当玩家意识到这点并且尝到过自动化的甜头以后，这游戏的烧脑特性就出来了，这个和其他被动烧脑不一样，这游戏是逼着玩家改进自身的状态，容易导致玩家熬夜，变秃也变强。迷你地铁禅意的画风和音乐，极简主义的设计却又不失深度。手机端PC端都有。解密解谜类：时空幻境Braid反常规烧脑解谜作品，游戏最后的反转让人刷新三观。

没听说过这款游戏一定要去感受一下，这种创意虽然只能用一次，但是放到现在也不过时。传送门2Portal和最近的只只大冒险都是优秀的双人解谜游戏，烧不烧脑取决于队友，娱乐性大于解谜。机械迷城 (Machinarium)远古解谜游戏，手机端PC端都有。非常烧脑，非常有意思的游戏，它既要求玩家遵循某种游戏规则，又鼓励玩家打破定式思维的禁锢，努力去思考有创造性的东西，游戏流程不长，但是每一处都经得住琢磨，这也就是这款经典的解谜游戏的精髓所在了。

LIMBO INSIDEplaydead出的两款神作，INSIDE比LIMBO更加优秀，解谜元素难度比价高，同时考验一些操作。Inside是画风极其阴暗的一款游戏，气氛渲染得十分到位。谜题设置也很有意思。通关之后久久不能平静，满分。LIMBO稍微有点致郁，更多的是来自对孤独的恐惧。其他：影子战术：将军之刃Shadow Tactics: Blades of the Shogun盟军敢死队精神续作。

芯片中的晶体管是个什么鬼？

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可100GHz以上。

指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。广义上，只要是使用微细加工手段制造出来的半导体片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有电路。比如半导体光源芯片；比如机械芯片，如MEMS陀螺仪；或者生物芯片如DNA芯片。在通讯与信息技术中，当把范围局限到硅集成电路时，芯片和集成电路的交集就是在“硅晶片上的电路”上。

芯片组，则是一系列相互关联的芯片组合，它们相互依赖，组合在一起能发挥更大的作用，比如计算机里面的处理器和南北桥芯片组，手机里面的射频、基带和电源管理芯片组。以下这篇文章和你一起学习，《芯片里面的几千万的晶体管是怎么装进去的？》，来自网摘。要想造个芯片, 首先, 你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司)　　(此处担心有版权问题… 毕竟我也是拿别人钱干活的苦逼phd… 就不放全电路图了… 大家看看就好， 望理解！）　　再放大...　　我们终于看到一个门电路啦! 这是一个NAND Gate(与非门), 大概是这样:　　A, B 是输入, Y是输出.　　其中蓝色的是金属1层, 绿色是金属2层, 紫色是金属3层, 粉色是金属4层...　　那晶体管(更正, 题主的"晶体管" 自199X年以后已经主要是 MOSFET, 即场效应管了 ) 呢?　　仔细看图, 看到里面那些白色的点吗? 那是衬底, 还有一些绿色的边框? 那些是Active Layer (也即掺杂层.)　　然后Foundry是怎么做的呢? 大体上分为以下几步:　　首先搞到一块圆圆的硅晶圆, (就是一大块晶体硅, 打磨的很光滑, 一般是圆的)　　图片按照生产步骤排列. 但是步骤总结单独写出.　　1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)　　2、光刻 (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. )　　3、 离子注入(在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)　　4.1、干蚀刻 (之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的,而是为了离子注入而蚀刻的. 现在就要用等离子体把他们洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构, 这一步进行蚀刻).　　4.2、湿蚀刻(进一步洗掉, 但是用的是试剂, 所以叫湿蚀刻).--- 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦~ 但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做, 以达到要求. ---　　5、等离子冲洗(用较弱的等离子束轰击整个芯片)　　6、热处理, 其中又分为:　　6.1、快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)　　6.2、退火　　6.3、热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) )　　7、化学气相淀积(CVD), 进一步精细处理表面的各种物质　　8、物理气相淀积 (PVD),类似, 而且可以给敏感部件加coating　　9、分子束外延 (MBE) 如果需要长单晶的话就需要这个..　　10、电镀处理　　11、化学/机械 表面处理然后芯片就差不多了, 接下来还要:　　12、晶圆测试　　13、晶圆打磨就可以出厂封装了.我们来一步步看:　　就可以出厂封装了.我们来一步步看:　　1、上面是氧化层, 下面是衬底(硅) -- 湿洗　　2、一般来说, 先对整个衬底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物质(最外层少一个电子), 作为衬底 -- 离子注入　　3、先加入Photo-resist, 保护住不想被蚀刻的地方 -- 光刻　　4、上掩膜! (就是那个标注Cr的地方. 中间空的表示没有遮盖, 黑的表示遮住了.) -- 光刻　　5、紫外线照上去... 下面被照得那一块就被反应了 -- 光刻　　6、撤去掩膜. -- 光刻　　7、把暴露出来的氧化层洗掉, 露出硅层(就可以注入离子了) -- 光刻　　　　8、把保护层撤去. 这样就得到了一个准备注入的硅片. 这一步会反复在硅片上进行(几十次甚至上百次). -- 光刻　　9、然后光刻完毕后, 往里面狠狠地插入一块少量(10^14 ~ 10^16 /cm^3) 注入的N型物质就做成了一个N-well (N-井) -- 离子注入　　　　10、用干蚀刻把需要P-well的地方也蚀刻出来. 也可以再次使用光刻刻出来. -- 干蚀刻　　11、上图将P-型半导体上部再次氧化出一层薄薄的二氧化硅. -- 热处理　　12、用分子束外延处理长出的一层多晶硅， 该层可导电 -- 分子束外延　　13、进一步的蚀刻, 做出精细的结构. (在退火以及部分CVD) -- 重复3-8光刻 湿蚀刻13 进一步的蚀刻, 做出精细的结构. (在退火以及部分CVD) -- 重复3-8光刻 湿蚀刻　　14、再次狠狠地插入大量(10^18 ~ 10^20 / cm^3) 注入的P/N型物质, 此时注意MOSFET已经基本成型. -- 离子注入　　15、用气相积淀 形成的氮化物层 -- 化学气相积淀　　16、将氮化物蚀刻出沟道 -- 光刻 湿蚀刻　　17、物理气相积淀长出 金属层 -- 物理气相积淀　　18、将多余金属层蚀刻. 光刻 湿蚀刻重复 17-18 长出每个金属层哦对了... 最开始那个芯片, 大小大约是1.5mm x 0.8mm　　啊~~ 找到一本关于光刻的书, 更新一下, 之前的回答有谬误..　　书名:

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